苏州纳维科技有限公司成立于2007年5月，公司以中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所为技术依托，专注于从事GaN衬底晶片及相关设备的研发和产业化，提供各类GaN材料，目前公司拥有核心技术**近三十项，是中国成员之一GaN衬底晶片供应商。
目前公司针对企业、高校和研究所的不同用户，主要提供如下产品：一、10～30微米厚度的2英寸GaN厚膜衬底，位错密度为107/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型；二、2英寸GaN自支撑衬底，厚度0.35mm，Ga面位错腐蚀坑密度为105/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型；三、小尺寸GaN衬底，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型，单面或者双面抛光；四、小尺寸非极性面GaN衬底，a面或者m面；五、高结晶度GaN粉体材料；六、AlN衬底。
 苏州纳维将立足于材料生长技术和设备的持续创新，在氮化物半导体材料及应用领域成长为一家具有原创知识产权和核心竞争力的国际化高科技公司，为氮化物半导体产业的发展贡献力量。

企业经济性质: 国有企业
法人代表或负责人: 徐科
企业类型: 生产加工
公司注册地: 江苏省苏州市
注册资金: 人民币 1000 - 5000 万元
成立时间: 2007
员工人数: 51 - 100 人
月产量:
年营业额: 人民币 1 亿元以上
年出口额: 人民币 5000万 - 1亿元
管理体系认证:
主要经营地点: 江苏省苏州工业园区星湖街218号生物纳米园A7 101室
主要客户: 节能照明、激光投影显示、智能电网、新能源汽车、5G通信等产业的核心基础材料
厂房面积:
是否提供OEM代加工: 是
开户银行:
银行帐号:
主要市场: 节能照明、激光投影显示、智能电网、新能源汽车、5G通信等产业的核心基础材料
主营产品或服务: 10～30微米厚度的2英寸GaN厚膜衬底，位错密度为107/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型；二、2英寸GaN自支撑衬底，厚度0.35mm，Ga面位错腐蚀坑密度为105/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型；三、小尺寸GaN衬底